ИСТИНА

Синтез тонких пленок SnO2:Sb был осуществлен методом импульсного лазерного осаждения (эксимерный KrF-лазер, λ = 248 нм). Образцы были исследованы методами оптической спектроскопии, эллипсометрии, РФЭС-спектроскопии. Удельное сопротивление пленок, подвижность и концентрация носителей заряда были измерены четырехзондовым методом в квадратной геометрии контактов с использованием эффекта Холла. Полученные тонкие пленки SnO2:Sb обладают низким удельным сопротивлением (ρ ~ 10-3 Ом·см) и высокой оптической прозрачностью (~85%) в диапазоне 400-800 нм. Максимум электрической проводимости наблюдается для пленок, полученных из мишени состава Sb/(Sn+Sb) = 2 ат. %, парциальном давлении кислорода 40 мТорр и температуре подложки в процессе осаждения 300°С. Методом РФЭС-спектроскопии установлено, что преобладающее зарядовое состояние сурьмы при вышеуказанных условиях–Sb5+.