Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Способ изготовления фотодиодов на основе Pb1-xSnxTe.
патент
Авторы:
Случинская И.А.
,
Медведев К.С.
,
Голованова Н.С.
Номер:
249393
Дата публикации патента:
21 апреля 1986 г.
Добавил в систему:
Случинская Ирина Александровна