ИСТИНА

Заявляемое изобретение относится к области материаловедения, а именно, к способам получения тонких плёнок или контактных микропечатных планарных структур галогенидных полупроводников состава ABX3, в том числе с органическими катионами, которые могут быть использованы в качестве светопоглощающего слоя в твердотельных, в том числе тонкоплёночных, гибких или тандемных солнечных элементах или для создания светоизлучающих устройств. Технический результат, достигаемый при использовании заявляемого изобретения, заключается в обеспечении возможности контролируемого нанесения компонентов АХ и Х2, за счет обеспечения диффузионного режима протекания реакции конверсии, что способствует улучшению воспроизводимости заявляемого способа. Также технический результат заключается в упрощении и повышении технологичности процесса формирования тонкопленочных структур за счет использования реакционных компонентов в составе твердого слоя, а не в жидкой форме. Поставленная задача решается тем, что в способе получения тонкопленочных структур гибридных галогенидных полупроводников состава ABX3, в состав которых входят компонент А в виде однозарядного катиона A+, выбранного из катионов метиламмония CH3NH3+, формамидиния (NH2)2CH+, гуанидиния C(NH2)3+, Cs+, Rb+, а также их смесей, компонент X в виде однозарядного аниона X-, выбранного из Cl-, Br-, I-, а также их смесей, и компонент B в виде поливалентного катиона, выбранного из Pb, Sn, Bi, а также их смесей, на поверхности вспомогательной подложки формируют технологический твёрдый жертвенный слой, представляющий собой композиционный материал, выполненный из полимерной матрицы с равномерно распределённым в ней компонентом AX или смесью AX и X2, отдельно на подложке-носителе формируют равномерный слой прекурсора компонента B, приводят жертвенный слой в контакт со слоем прекурсора B и выдерживают в течение времени, обеспечивающем протекание полной реакционной конверсии слоя прекурсора компонента B при взаимодействии с прекурсорами AX или смесью AX и X2 в слой состава ABX3, после чего жертвенный слой удаляют. 2 н.п.ф-лы, 2 илл.