|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Способ изготовления фоторезисторапатент
- Авторы: Акимов Б.А., Албул А.В., Брандт Н.Б., Мусалитин А.М., Рябова Л.И., Скипетров Е.П.
- Номер: 2012103
- Дата публикации патента: 30 апреля 1994 г.
-
Реферат (описание изобретения):
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в качестве активного элемента приемника ИК-излучения, работающего в условиях радиационного воздействия. Целью изобретения является повышение радиационной стойкости при сохранении чувствительности активного элемента фоторезистора на основе монокристаллического твердого раствора теллурида олова в теллуриде свинца с примесью индия.
- Добавил в систему: Рябова Людмила Ивановна