ИСТИНА

1. Способ измерения локальных электромагнитных полей, структурных и кристаллографических свойств внутри полупроводниковых низкоразмерных частиц на поверхности гетеростуктур, включающий в себя облучение лазерными импульсами поверхности образца, измерение отраженного под углом 450 сигнала второй оптической гармоники, при интенсивности облучения, достигающей величин необходимых для генерации второй оптической гармоники, но не достигающей порогового значения интенсивности пробоя, и последующий расчет по измеренным значениям сигнала второй оптической гармоники карты распределения локальных электромагнитных полей на поверхности гетероструктур. 2. Способ измерения по п.1., отличающийся тем, что направление поляризации линейно-поляризованного излучения накачки плавно изменяется с помощью вращения полуволновой пластины и одновременно с изменением направления поляризации излучения накачки вращается анализатор, пропускающий излучение второй оптической гармоники с поляризацией, сонаправленной с поляризацией накачки или перпендикулярной ей, для определения кристаллографических свойств материала. 3. Способ измерения по п.1, отличающийся тем, что осуществляется сканирование при изменении расстояния от фокусирующей линзы до образца в условиях жесткой фокусировки с целью определения качества гетероструктуры по толщине.