ИСТИНА

Изобретение относится к материалам квантовой электроники на основе смешанных кристаллов, активированных ионами d- и f-элементов, которые предлагаются в качестве нового класса веществ пассивных затворов для модуляции добротности лазерного излучения в видимом спектральном диапазоне длин волн 0,48-0,75 мкм. Техническим результатом является создание кристаллов пассивных затворов, обладающих низкой интенсивностью насыщения поглощения, для модуляции добротности лазеров, работающих в области длин волн 0,45-0,75 мкм. Для его достижения предложены кристаллические модуляторы добротности для лазеров видимого спектрального диапазона представляющие собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида магния с добавкой фторидов иттрия и кобальта, соответствующих эмпирической формуле Mg1-x-yYxCoyF2+x+y (0<x<0,05; 0,002<y<0,05) следующего состава в масс.%: MgF2 - 90 -94,8; YF3 – 5,0; CoF2 – 0,2 – 5,0 или кристаллохимические системы CaF2-YF3-TbF3, соответствующие эмпирической формуле Ca1-x-yYxTbyF2+x+y (0<x<0,05; 0,002<y<0,05) следующего состава в масс.%: CaF2 - 90 -94,8; YF3 – 5,0; TbF3 – 0,2–5,0, выращенные методом горизонтально направленной кристаллизации из расплава кристаллохимических систем MgF2-YF3-CoF3 в графитовых тиглях соединений составов в масс.%: MgF2 - 90-94,8, YF3 – 5,0, CoF2 – 0,2–5,0 при температуре 12600С и CaF2 - 90-94,8, YF3 – 5,0, TbF3 – 0,2–5,0 при температуре 14200С с перегревами расплава в обоих случаях до 1000С в смешанной атмосфере Ar+F2 при избыточном давлении до 0,9 атм и протяжкой со скоростью 3 мм/час через градиентную зону кристаллизации с последующим охлаждением 300/час. 1 н.п.ф, 3 ил., 1 табл.