![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для конструирования датчиков ЭДС Холла, работающих в условиях радиационного воздействия. Цель изобретения - обеспечение радиационной стойкости материала активного элемента датчика ЭДС Холла при сохранении его чувствительности и КПД. Полупроводник представляет собой монокристаллический твердый раствор Pb1-x-ySnxInyTe, в котором легирование индием приводит к образованию в энергетическом спектре ёмкого уровня, стабилизирующего положение уровня Ферми и концентрацию носителей заряда.