ИСТИНА

Целью настоящего проекта является разработка методики пассивной терагерцовой эмиссионной спектроскопии узкощелевых полупроводников и проверка эффективности применения этой методики для ряда узкощелевых полупроводниковых соединений. Исследования пассивных спектров испускания, вообще говоря, могут позволить определить ширину запрещенной зоны у объемного полупроводника. Для этого необходимо иметь достаточно чувствительные приемники излучения и «холодные» спектральные элементы, имеющие существенно более низкую температуру по сравнению с образцом. Поскольку отклонение от коэффициента отражения от единицы в субщелевой и суперщелевой области различно, то спектр испускания полупроводника должен иметь существенный излом при таком переходе по спектру. Насколько нам известно, таким способом ширина запрещенной зоны ранее не измерялась. Способ этот может оказаться весьма продуктивным, особенно в отношении вырожденных полупроводников. Для таких материалов вообще существует достаточно мало способов определения ширины запрещенной зоны. Предлагаемая методика может также оказаться чувствительной к поверхностным состояниям в полупроводниках, в частности, в топологических изоляторах.