|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Properties of SiC Films Obtained by the Method of Substitution of Atoms on Porous Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 января 2019 г.
- Авторы: Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F.
- Журнал: ECS Journal of Solid State Science and Technology
- Том: 7
- Номер: 4
- Год издания: 2018
- Издательство: Electrochemical Society, Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 158
- Последняя страница: 160
- DOI: 10.1149/2.0061804jss
- Аннотация: The paper is devoted to the growth of thin SiC films by the method of substitution of atoms on macro- and mesoporous substrates of p- and n-type silicon of (100) orientation. On the mesoporous Si (100) substrates polycrystalline 3C-SiC films were formed, the crystallite size determined from XRD patterns was 27.5 nm. The obtained structures are studied by the methods of scanning electron and atomic-force microscopy, micro-Raman spectroscopy and X-ray diffraction analysis. © 2018 The Electrochemical Society.
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич