|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
О некоторых исследованиях ИК излучения из бегущих акустоэлектрических доменов в GaAsстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 11
- Номер: 7
- Год издания: 1977
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1371
- Последняя страница: 1375
- Аннотация: Исследовано влияние генерации "шокового" ультразвукового потока на момент возникновения ИК излучения из бегущего ф=акустоэлектрического домена в n-GaAs. Обнаружено, что домен состоит из двух областей высокого поля. Показано, что возникновение излучения связано с приходом к границе неоднородности электрического поля в образце переднего фронта области повышенного поля внутри домена, образованной шоковой генерацией ультразвуковых волн, происходящей на неоднородности электрического поля вблизи катода.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна