|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
- Сборник: Сборник трудов III Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Издательство СПбГПУ г. Санкт-Петербург
- Первая страница: 27
- Последняя страница: 27
- Аннотация: Исследовалось влияние слабой подсветки на изотермический отжиг фотоиндуцированных метастабильных состояний в легированных бором пленках a-Si:H. Получено, что в первую очередь образуются метастабильные электрически активные примеси (МЭАП) с малыми эффективными временами. Это определяет проявление отоиндуцированного отжига в преимущественном уменьшении концентрации МЭАП с большими значениями времен отжига.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна