|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Деградация мощных инжекционных лазеров на основе квантоворазмерной структуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с асимметричным волноводомстатья
- Авторы: Коваль О.И., Кудрявцева Е.Д., Ржанов А.Г., Соловьёв Г.А.
- Журнал: Ученые записки физического факультета Московского Университета
- Номер: 4
- Год издания: 2014
- Первая страница: 144357-1
- Последняя страница: 144357-3
- Аннотация: Экспериментально изучены мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с квантовой ямой и асимметричным расширенным волноводом. Предложена физическая модель, объясняющая изменение их излучательных характеристик с течением времени наработки.
- Добавил в систему: Ржанов Алексей Георгиевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 144357.pdf | 184,0 КБ | 25 апреля 2019 [algebr0] |