|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Semiclassical theory of interband tunnelling in semiconductor heterostructuresстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 августа 2021 г.
- Авторы: Ryzhii V., Zakharova A.
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 8
- Год издания: 1993
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 377
- Последняя страница: 382
- Номер статьи: 3
- DOI: 10.1088/0268-1242/8/3/012
- Аннотация: Построена квазиклассическая теория межзонного туннелирования.A new method based on the semiclassical approximation is proposed, which allows the authors to calculate the characteristics of interband tunnelling devices with abrupt heterojunctions. It is shown that the tunnelling probability for a quasiparticle in the InAs/AlGaSb/InAs structure obtained using this method differs strongly from that obtained using the conventional WKB approximation.Статья цитируется в работеSelf–consistent I—V characteristic calculation of RTS with type II heterojunctionsGergel V.A., Lapushkin I., Zakharova A.A.в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 11, с. 56-60
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна