|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Effect of gas absorbtion on the interfacial states at n-SnO2/p-Si heterojunctionтезисы доклада
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Vasiliev R.B., Gaskov A.M., Rumyantseva M.N., Ryabova L.I.
- Сборник: Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2001
- Место издания: Osaka, Japan
- Первая страница: 333
- Последняя страница: 334
- Добавил в систему: Васильев Роман Борисович