Аннотация:Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы углеродные пленки, полученные при осаждении ускоренных ионов C60. Показано, что при энергии пучка ионов 7 кэВ и температуре подложки 100–200°C формируются аморфные углеродные пленки. Повышение температуры подложки до 300°C приводит к формированию нанокомпозитных пленок, содержащих нанокристаллы графита и аморфную углеродную матрицу. Присутствие в пучке двух- и трехзарядных ионов с энергией 14 и 21 кэВ, соответственно, приводит к снижению температуры формирования нанокомпозитов до 200°C. В результате анализа данных, собранных методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и оже-электронной спектроскопии с разной информационной глубины, установлено, что соотношение sp3/sp2 в поверхностных слоях выше, чем в глубинных слоях, как в случае пучка с энергией 7 кэВ, так и при наличии в пучке многозарядных ионов высоких энергий. Если в пучке присутствуют высокоэнергетические ионы, то соотношение sp3/sp2 больше и сложным образом зависит от температуры осаждения. Максимальное количество sp3-связей в поверхностных слоях обнаружено при температуре осаждения 350°C и составляет 88%. Угол смачивания для этой пленки 96°, что близко к углу смачивания алмазной поверхности.