|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Electron Distribution Near the Fast-Ion Track in Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 мая 2024 г.
- Авторы: Novikov N.V., Chechenin N.G., Shirokova A.A.
- Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
- Том: 18
- Номер: 2
- Год издания: 2024
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 255
- Последняя страница: 263
- DOI: 10.1134/S1027451024020150
- Аннотация: In this paper, we propose a model to describe the distribution of electrons near the track of a fast ion. The dependence of the fast-electron flux on time, layer depth, and radial variable is modeled taking into accaunt the statistical weight of each trajectory. The pulse duration in the electron-flux distribution was found to be fractions of ps while the radial size of the cylindrical region, where the transport of fast electrons occurs, reaches tens of angstroms.
- Добавил в систему: Широкова Алла Анатольевна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Novikov_Chechenin_Shirokova_Surf_2024a.pdf | 945,2 КБ | 17 мая 2024 [novikov1965] |