|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН |
||
Passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip laser with Cr:ZnS thin layer saturable absorberстатья
- Авторы: Gorbachenya K.N., Volkova E.A., Maltsev V.V., Koporulina E.V., Kuleshov N.V., Kisel V.E.
- Журнал: Laser Physics Letters
- Том: 21
- Год издания: 2024
- Издательство: Wiley - VCH Verlag GmbH & CO. KGaA
- Местоположение издательства: Germany
- Номер статьи: 115801
- DOI: 10.1088/1612-202X/ad7c25
- Аннотация: We demonstrate continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchiplasers emitting in the spectral range of 1.5–1.6 µm. A maximal output power of 220 mW wasobtained at 1568 nm at an absorbed pump power of 2.3 W with a slope efficiency of 18%. Byusing an MBE-grown Cr:ZnS thin layer as a saturable absorber laser pulse with a duration of24 ns and an energy of 3 µJ at a repetition rate of 50 kHz were obtained at a wavelength of1568 nm.
- Добавил в систему: Волкова Елена Александровна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|