Применение тестового гамма-облучения для отбраковки потенциально ненадежных гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs

Авторы: Перевозчиков М.В., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Номер: 3
Год издания: 2007
Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 42
Последняя страница: 44
Аннотация: Приведены результаты экспериментов по влиянию гамма-облучения (60Со) на мощность излучения многослойных гетероэпитаксиальных структур, применяемых для изготовления суперлюминесцентных диодов. Показана возможность оперативной отбраковки структур с аномальной деградацией мощности излучения, а также возможность значительного увеличения срока службы приборов
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА