Эффективность "сверхглубокого" облучения быстрыми электронами для повышения радиационной стойкости и улучшения комплекса электрических параметров диодных структур

Авторы: Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
Журнал: Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
Номер: 1-2
Год издания: 2000
Издательство: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов"
Местоположение издательства: Лыткарино
Первая страница: 67
Последняя страница: 69
Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования влияния режимов операций облучения быстрыми (6 МэВ) электронами и термического отжига на электрические параметры кремниевых диодных структур, на основе которых проведены расчетные оценки повышения радиационной стойкости. Показана высокая эффективность операции "сверхглубокого" облучения при повышенной плотности потока быстрых электронов.
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА