ИСТИНА

Обнаруженные особенности зависимости пропускания коллоидного раствора полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS от интенсивности пикосекундных лазерных импульсов в случае однофотонного резонансного возбуждения основного экситонного 1S3/2(h) - 1S(e) оптического перехода – линейное пропускание при малых уровнях возбуждения сменяется нелинейным увеличением и затем уменьшением пропускания (!) при средних и снова увеличением пропускания при высоких уровнях возбуждения – объяснены явлением насыщения (заполнением состояния) двухуровневой системы с изменяемым параметром (интенсивностью) насыщения и Штарк-эффектом в заряженных квантовых точках. Параметр насыщения зависит от времени жизни возбужденного состояния, а время жизни при высоких уровнях возбуждения уменьшается из-за безызлучательной Оже-рекомбинации. Особенности нелинейного пропускания отдельных мощных ультракоротких импульсов цуга лазера, работающего в режиме синхронизации мод, коллоидным раствором квантовых точек CdSe/ZnS в случае двухфотонного резонансного возбуждения основного оптического перехода объяснены явлениями двухфотонного поглощения и самодефокусировки. Анализ экспериментальных результатов позволил разделить процессы самодефокусировки, определяемые 1. безынерционным изменением показателя преломления за счёт взаимодействия мощных импульсов света со связанными электронами и 2. нелинейным изменением коэффициента преломления двухфотонно возбужденными носителями в квантовой точке. Измеренное значение безынерционной части показателя нелинейного преломления позволило определить значение нелинейной восприимчивости третьего порядка. Оно на порядок и более превышает значение нелинейной восприимчивости третьего порядка для объемного полупроводника. По-видимому, это связано с резонансным увеличением нелинейной восприимчивости.