Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Меньшов В.Н.
Меньшов В.Н.
IstinaResearcherID (IRID): 17880514
Доклады на научных конференциях НИР и НИОКР
–

Доклады на научных конференциях

    • 2014 Эффект магнитной близости на интерфейсе топологический изолятор/магнитный изолятор (Устный)
    • Авторы: Чулков Е.В., Еремеев С.В., Меньшов В.Н., Тугушев В.В.
    • XVIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 10-14 марта 2014), , Нижний Новгород, Россия, 10-14 марта 2014

НИР и НИОКР

    • 1 января 2016 - 31 декабря 2016 Магнитные и транспортные свойства полупроводниковых гибридных наноструктур на основе трехмерных топологических изоляторов
    • РФФИ
    • Руководитель: Тугушев В.В. Участники НИР: Мацко Н.Л., Меньшов В.Н., Батурин В.С., Кулатов Э.Т.

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь