Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Levitski V.S.
Levitski V.S.
IstinaResearcherID (IRID): 35314937
–

Статьи в журналах

    • 2020 Two-Stage Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Low-Temperature Hydrothermal Method
    • Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis 1) Two-Stage, the Low-Temperature Hydrothermal Method Ryabko /.A.A, Maximov A.I., Verbitskii V.N., Levitskii V.S., Moshnikov V.A., Terukov // Semiconductors 2020 Vol 54 11 E.I.№.P.1496-1502
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 11, с. 1496-1502
    • 2017 Raman Spectroscopy of Lattice-Matched Graphene on Strongly Interacting Metal Surfaces
    • Usachov Dmitry Yu, Davydov Valery Yu, Levitskii Vladimir S., Shevelev Viktor O., Dmitry Marchenko, Senkovskiy Boris V., Vilkov Oleg Yu, Rybkin Artem G., Yashina Lada V., Chulkov Evgueni V., Sklyadneva Irina Yu, Rolf Heid, Klaus-Peter Bohnen, Clemens Laubschat, Vyalikh Denis V.
    • в журнале ACS Nano, издательство American Chemical Society (United States) DOI
    • 2016 UV and IR Emission Intensity in ZnO Films, Nanorods, and Bulk Single Crystals Doped with Er and Additionally Introduced Impurities
    • Mezdrogina M.M., Vinogradov A.Ya, Kuzmin R.V., Levitski V.S., Kozanova Yu V., Lyanguzov N.V., Chukichev M.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 50, № 10, с. 1304-1311 DOI

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь