Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Snegov F.
Snegov F.
IstinaResearcherID (IRID): 438882
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2008 A role of the built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in the electroferlectance experiments
    • Bokov P., Avakyants L., Badgutdinov M., Chervyakov A., Shirokov S., Yunovich A., Vasileva E., Snegov F., Bauman D., Yavich B.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 1040, с. 184-189
    • 2006 Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures
    • Yunovich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P., Chervyakov A., Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov F., Bauman D., Yavich B.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 955, с. 210-212

Статьи в сборниках

    • 2007 Electroreflectance Spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-Heterostructures
    • Yunovich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P., Chervyakov A., Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov F., Bauman D., and Yavich B.
    • в сборнике III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices, Proc. 955E,, издательство Materials Research Society (United States), с. 15-36

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь