Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Seung-Yeul Yang
Seung-Yeul Yang
IstinaResearcherID (IRID): 457651
–

Статьи в журналах

    • 2009 Kinetics of Chemical Changes in Phenol Formaldehyde Based Polymeric Films Etched in N<sub>2</sub>O and O<sub>2</sub>Inductively Coupled Plasmas: A Comparative Study
    • Kwon Kwang-Ho, Nam-Ki Min, Seung-Youl Kang, Kyu-Ha Baek, Soo Suh Kyung, Alexandrovich Shutov Dmitriy
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 48, № 8, с. 08HA02-08HA02 DOI
    • 2008 Influence of Ar and NH<sub>3</sub> Plasma Treatment on Surface of Poly(monochloro-para-xylylene) Dielectric Films Processed in Oxygen Plasma
    • Shutov Dmitriy A., Seung-Youl Kang, Kyu-Ha Baek, Soo Suh Kyung, Kwang-Ho Kwon
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 47, № 8S2, с. 6970-6970 DOI
    • 2008 Two-phonon coupling to the antiferromagnetic phase transition
    • Ramirez M.O., Krishnamurthi M., Denev S., Kumar A., Seung-Yeul Yang, Ying-Hao Chu, Saiz E., Seidel J., Pyatakov A.P., Bush A., Viehland D., Orenstein J., Ramesh R., Gopalan V.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 92, № 2, с. 022511 DOI

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь