Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
In-Hwan Lee
In-Hwan Lee
IstinaResearcherID (IRID): 4924911
–

Тезисы докладов

    • 2013 Свойства GaN структур с наностолбиками, приготовленных сухим травлением эпитаксиальных пленок, выращенных методом MOCVD с использованием техники MELO
    • Говорков А.В., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Соколов В.Н., Якимов Е.Б., Dae-Woo Jeon, In-Hwan Lee
    • в сборнике Тезисы докладов XVIII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка. 03-06.06.2013, место издания ИПТМ РАН Черноголовка, тезисы, с. 84-85

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь