Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Süess M.J.
Süess M.J.
IstinaResearcherID (IRID): 599005776
–

Статьи в журналах

    • 2015 Demonstration of higher electron mobility in Si nanowire MOSFETs by increasing the strain beyond 1.3%
    • Luong G.V., Knoll L., Blaeser S., Süess M.J., Sigg H., Schäfer A., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Buca D., Zhao Q.T., Mantl S.
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 108, с. 19-23 DOI

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь