–
Статьи в журналах
-
- 2015 Demonstration of higher electron mobility in Si nanowire MOSFETs by increasing the strain beyond 1.3%
- Luong G.V., Knoll L., Blaeser S., Süess M.J., Sigg H., Schäfer A., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Buca D., Zhao Q.T., Mantl S.
- в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 108, с. 19-23 DOI