Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Cui H.
Cui H.
IstinaResearcherID (IRID): 88569042
Статьи в журналах Тезисы докладов
–

Статьи в журналах

    • 2018 High Temperature Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes with a Narrow Chirality Distribution by Tip-Growth Mode
    • He M., Yang T., Shang D., Xin B., Chernov A.I., Obraztsova E.D., Sainio J., Wei N., Cui H., Jiang H., Kauppinen E.I.
    • в журнале Chemical Engineering Journal, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 341, с. 344-350 DOI
    • 2018 Anchoring effect of Ni2+ in stabilizing reduced metallic particles for growing single-walled carbon nanotubes
    • He M., Wang X., Zhang L., Wu Q., Song X., Chernov A.I., Fedotov P.V., Obraztsova E.D., Sainio J., Juang H., Cui H., Ding F., Kauppinen E., Kauppinen E.
    • в журнале Carbon, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 128, с. 249-256 DOI

Тезисы докладов

    • 2017 The influence of synthesis parameters on graphene films growth by chemical vapor deposition method
    • Cao H Le T.T., Le D.Q., Phan N.H., Bui H.T., Pham V.T., Nguyen T.T., Obraztsova E.D., Phan N.M., Nguyen V.C.
    • в сборнике Proc. of 3rd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, Hanoi, 2016, место издания Hanoi University of Science and Technology Hanoi (Vietnam), тезисы, с. 304-307

ИСТИНА ФИЦ ПХФ и МХ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь